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SiC素子の基礎と応用

著者	荒井和雄 / 吉田貞史
出版社	オ-ム社
発売日	2003年03月
サイズ	単行本
価格	5,280 円

本書は、ＮＥＤＯ「超低損失電力素子技術開発」プロジェクトの成果を主体として、ＳｉＣ基盤研究の全容とＳｉＣデバイスの開発例、パワーデバイスとしての応用展開を、研究開発の息吹が伝わるように構成した。すなわち、記述を、（１）基礎事項、（２）技術フロント、（３）Ｑ＆Ａに分け、（１）では技術開発の基礎と国内外を含めた開発動向および課題を、（２）ではプロジェクトにおいて開発された技術を中心に開発の最前線の技術成果を記載し、（３）ではまだ明確な回答が得られていない重要な問題点を取り上げ、その解決の見通しや方向を論じた。またＧａＮやダイヤモンドといった他のワイドギャップ半導体を含む派生的な技術の解説やトピックスは囲み記事とした。

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